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AO4805

丝印:4805;Package:SOP-8;Dual P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -9 A (VGS = -20V) ● RDS(ON)

文件:1.16957 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO4805-HF

丝印:4805;Package:SOP-8;Dual P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -9 A (VGS = -20V) ● RDS(ON)

文件:1.80663 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

KO4805

丝印:4805;Package:SOP-8;Dual P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -9 A (VGS = -20V) ● RDS(ON)

文件:1.16957 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

KO4805-HF

丝印:4805;Package:SOP-8;Dual P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -9 A (VGS = -20V) ● RDS(ON)

文件:1.80663 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

4805

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V

文件:4.3887 Mbytes 页数:6 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

48050-000

Discrete Crimp-to-Wire Pins/Receptacles/Housings

[BergCon®] Discrete Crimp-to-Wire Pins/Receptacles/Housings 2.54 mm (0.100 in.)

文件:379.38 Kbytes 页数:3 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

48051-000

Discrete Crimp-to-Wire Pins/Receptacles/Housings

[BergCon®] Discrete Crimp-to-Wire Pins/Receptacles/Housings 2.54 mm (0.100 in.)

文件:379.38 Kbytes 页数:3 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

48052-000

Discrete Crimp-to-Wire Pins/Receptacles/Housings

[BergCon®] Discrete Crimp-to-Wire Pins/Receptacles/Housings 2.54 mm (0.100 in.)

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ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

4805

Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors

文件:132.97 Kbytes 页数:2 Pages

WELWYN

4805

Ideal resistor for precision instrumentation

文件:410.61 Kbytes 页数:3 Pages

TTELECTT Electronics.

TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

详细参数

  • 型号:

    4805

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL P-CH -30V -8A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多4805供应商 更新时间2025-9-5 10:04:00