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AO4712	文件：2.062699 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4712；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 13 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.062699 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4712	文件：579.77 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4712；Package：SO-8；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SRFET™ The AO4712 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications. Standard Product AO47 文件：579.77 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
KO4712	文件：2.062699 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4712；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 13 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.062699 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4712	文件：283.9 Kbytes Page：6 Pages	丝印：4712；Package：SO-8；30V N-Channel MOSFET 文件：283.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
ASU700SS-120GT-C	文件：294.69 Kbytes Page：2 Pages	丝印：4712366967205；ADATA Ultimate SU700 3D NAND SSD 文件：294.69 Kbytes 页数：2 Pages	A-DATA 威刚科技	A-DATA
ASU700SS-240GT-C	文件：294.69 Kbytes Page：2 Pages	丝印：4712366967212；ADATA Ultimate SU700 3D NAND SSD 文件：294.69 Kbytes 页数：2 Pages	A-DATA 威刚科技	A-DATA
ASU700SS-480GT-C	文件：294.69 Kbytes Page：2 Pages	丝印：4712366967229；ADATA Ultimate SU700 3D NAND SSD 文件：294.69 Kbytes 页数：2 Pages	A-DATA 威刚科技	A-DATA
ASU700SS-960GT-C	文件：294.69 Kbytes Page：2 Pages	丝印：4712366967236；ADATA Ultimate SU700 3D NAND SSD 文件：294.69 Kbytes 页数：2 Pages	A-DATA 威刚科技	A-DATA
ASX950SS-1.92GM-C	文件：1.0771 Mbytes Page：2 Pages	丝印：4712366963128；XPG SX950 3D NAND 2.5-inch Solid State Drive 文件：1.0771 Mbytes 页数：2 Pages	A-DATA 威刚科技	A-DATA
ASX950SS-240GM-C	文件：1.0771 Mbytes Page：2 Pages	丝印：4712366963641；XPG SX950 3D NAND 2.5-inch Solid State Drive 文件：1.0771 Mbytes 页数：2 Pages	A-DATA 威刚科技	A-DATA

详细参数

型号：
4712
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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