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AOT462	文件：68.71 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT462usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinUPS,highcurrentswitchingapplications.StandardProductAOT462isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features VD	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT462L	文件：303.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=18mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT462L	文件：445.9 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT462L/AOB462LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT462L	文件：1.2731 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ARF462	文件：105.98 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE FORIGBT,IEGT,GCTAPPLICATIONS SNUBBERLESSOPERATION LOWLOSSESSOFTRECOVERY Repetitivevoltageupto4500V Meanforwardcurrent435A Surgecurrent10kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ARF462A	文件：103.03 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF462AandARF462BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specified	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF462B	文件：103.03 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF462AandARF462BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specified	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
BTS462T	文件：304.64 Kbytes Page：16 Pages	SmartPowerHigh-Side-Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS462T	文件：280.41 Kbytes Page：18 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BZA462A	文件：77.97 Kbytes Page：12 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinasixleadSOT457(SC-74)packagefor4-bitwideESDtransientsuppressionat6.2Vlevel. FEATURES •ESDrating>15kV,accordingtoIEC1000-4-2 •SOT457surfacemountpackage •Commonanodeconfiguration •Non-clamp	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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