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丝印:45RL10H;Package:LFPAK56D;N-channel 100 V, 45 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. Features and benefits • High peak drain current IDM • Copper clip and flexible Leads • High operating junction temperature Tj = 175 °C • Superior reliability • Low bo 文件:297.96 Kbytes 页数:12 Pages  | NEXPERIA 安世  | NEXPERIA  | 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia USA Inc.  | 
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            更新时间2025-11-4 14:40:00
        
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