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40N10F	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40A mps,100 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
40N10	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
40N10	文件：68.08 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching FEATURES •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max) •FastSwitching APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
40N10	文件：983.6 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
40N10B	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
40N10H	文件：194.01 Kbytes Page：2 Pages	40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
CED40N10	文件：423.21 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,37A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED40N10	文件：608.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU40N10	文件：608.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU40N10	文件：423.21 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,37A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU40N10	文件：988.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CJU40N10	文件：1.7756 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CJU40N10	文件：1.12895 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
DTU40N10	文件：509.68 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFETTrenchFETPowerMOSFETS	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
DTU40N10	文件：988.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
FIR40N10BPG	文件：5.30144 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR40N10LG	文件：4.21547 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR40N10PG	文件：4.44176 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FTK40N10D	文件：349.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd
HM40N10	文件：804.35 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多40N10F供应商更新时间2024-4-27 14:01:00

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