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3SK295	文件：89.62 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application • UHF RF amplifier 文件：89.62 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK295ZQ-TL-E	文件：89.62 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application • UHF RF amplifier 文件：89.62 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK296	文件：190.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier 文件：190.02 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK296	文件：50.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier 文件：50.64 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
3SK296ZQ-TL-E	文件：190.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier 文件：190.02 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK297	文件：196.22 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier 文件：196.22 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK297	文件：54.84 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier 文件：54.84 Kbytes 页数：11 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
3SK297ZP-TL-E	文件：196.22 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier 文件：196.22 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK298	文件：190.98 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF / VHF RF amplifier 文件：190.98 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
3SK29
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

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