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3STR1630

Low voltage high performance NPN power transistor

Description This device is an NPN transistor manufactured using low voltage planar technology with a double-metal process. Features ■ Very low collector-emitter saturation voltage ■ High current gain characteristic ■ Fast switching speed ■ Miniature SOT-23 plastic package ECOPACK®2 grade

文件:212.4 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

3STR1630

Low voltage high performance NPN power transistor

ST

意法半导体

3STR1630

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 6A SOT23-3

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    3STR1630

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 6A SOT23-3

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更多3STR1630供应商 更新时间2025-10-13 9:59:00