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3R2DCBE	文件：299.31 Kbytes Page：13 Pages	型号：GAN3R2-100CBE；Package：WLCSP8-SOT8072；100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 1.Generaldescription TheGAN3R2-100CBEisaageneralpurpose100V,3.2mΩGalliumNitride(GaN)FETina15 bumpWaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP).Itisanormally-offe-modedeviceoffering superiorperformance. 2.Featuresandbenefits •Enhancementmode-normally-offpowerswitc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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型号：GAN3R2-100CBE；Package：WLCSP8-SOT8072；100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)

1.Generaldescription TheGAN3R2-100CBEisaageneralpurpose100V,3.2mΩGalliumNitride(GaN)FETina15 bumpWaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP).Itisanormally-offe-modedeviceoffering superiorperformance. 2.Featuresandbenefits •Enhancementmode-normally-offpowerswitc

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