丝印：3J；Package：PW-Mini；Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type

Applications • High-Speed Switching • DC-DC Converters Features (1) High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.21 V (max) (IC = 1.6 A, IB = 32 mA) (3) High-speed switching: tf = 120 ns (typ.) (IC = 1.6 A)

文件：327.56 Kbytes 页数：7 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：3J；Package：SOT-23；Ideally suited for automatic insertion

文件：518.909 Kbytes 页数：6 Pages

RECTRON

丽正国际

丝印：3J；Package：SOT-23；PNP Plastic-Encapsulate Transistors

文件：1.37311 Mbytes 页数：5 Pages

JINGHENG

晶恒

丝印：3J；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：1.06616 Mbytes 页数：5 Pages

LUGUANG

鲁光电子

丝印：3J；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：1.06616 Mbytes 页数：5 Pages

LUGUANG

鲁光电子

丝印：3J；Package：SOT-23；General Purpose Transistors PNP Silicon

文件：666.6 Kbytes 页数：7 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

丝印：3J；Package：DFN2020MD-6；20 V, N-channel Trench MOSFET

文件：739.09 Kbytes 页数：16 Pages

NEXPERIA

安世

丝印：3J；Package：SOT-323；Schottky Barrier Diode

文件：193.88 Kbytes 页数：3 Pages

BILIN

银河微电

丝印：3J；Package：SOT-323；Shottky barrier diode

文件：171.17 Kbytes 页数：4 Pages

ROHM

罗姆

丝印：3J；Package：SOT-416；Schottky Barrier Diode

文件：1.11491 Mbytes 页数：5 Pages

ROHM

罗姆