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3Gs | 型号:BC857C;Package:SOT-23;PNP Silicon AF Transistors PNP Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC846, BC847, BC848, BC849, BC850 (NPN) 文件:218.06 Kbytes 页数:8 Pages | 英飞凌 | ETC | |
3Gs | 型号:BC857C;Package:SOT-23;PNP Silicon AF Transistor PNP Silicon AF Transistor • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 hz and 15 kHz • Complementary types: BC847...-BC850... (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q1011) 文件:866.73 Kbytes 页数:11 Pages | 英飞凌 | ETC | |
3Gs | 型号:BC857CW;Package:SOT-323;PNP Silicon AF Transistor PNP Silicon AF Transistor • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 hz and 15 kHz • Complementary types: BC847...-BC850... (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q1011) 文件:866.73 Kbytes 页数:11 Pages | 英飞凌 | ETC | |
3Gs | 型号:BC857CW;Package:SOT-323;PNP Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC846W, BC847W, BC848W, BC849W, BC850W (NPN) 文件:229.98 Kbytes 页数:8 Pages | 英飞凌 | ETC | |
3Gs | 型号:BC857C;Package:SOT-23;PNP Silicon AF Transistor 文件:887.44 Kbytes 页数:14 Pages | 英飞凌 | ETC | |
3Gs | 型号:BC857CW;Package:SOT-323;PNP Silicon AF Transistor 文件:887.44 Kbytes 页数:14 Pages | 英飞凌 | ETC | |
型号:3GS14-A-80M-25.000;14 pin Dual-inLine Sine Wave VCXO 文件:90.83 Kbytes 页数:1 Pages | 石英公司 | ETC | ||
型号:3GS14-A-80N-25.000;14 pin Dual-inLine Sine Wave VCXO 文件:90.83 Kbytes 页数:1 Pages | 石英公司 | ETC | ||
型号:3GS14-A-80T-25.000;14 pin Dual-inLine Sine Wave VCXO 文件:90.83 Kbytes 页数:1 Pages | 石英公司 | ETC | ||
型号:3GS14-B-80M-25.000;14 pin Dual-inLine Sine Wave VCXO 文件:90.83 Kbytes 页数:1 Pages | 石英公司 | ETC |
详细参数
- 型号:
3GS
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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