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3F	文件：683.91 Kbytes Page：4 Pages	型号：BC857C；Package：SOT-23；PNP Transistors ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
3F	文件：328.92 Kbytes Page：14 Pages	型号：BZX884S-B43；Package：DFN1006BD-2；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
3F	文件：329.42 Kbytes Page：14 Pages	型号：BZX884S-B43-Q；Package：DFN1006BD-2；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
3F	文件：183.15 Kbytes Page：3 Pages	型号：ESD3Z36；Package：SOD-323；Transient Voltage Suppressors Features Lowclampingvoltage Lowleakage Transientprotectionforhighspeeddatalinesto IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
3F	文件：537.22 Kbytes Page：3 Pages	型号：MM3Z68；Silicon Planar Zener Diodes FEATURES •Totalpowerdissipation:Max.200mW. •Widezenerreversevoltagerange2.0Vto75V. •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign. •Toleranceapproximately±5	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
3F	文件：186.65 Kbytes Page：8 Pages	型号：PBSS5220T；Package：SOT23；20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
3F	文件：234.68 Kbytes Page：10 Pages	型号：PBSS5220T-Q；Package：SOT23；20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
3F	文件：313.42 Kbytes Page：6 Pages	型号：RB450F；Package：SOT-323；Low power rectification Features Highreliability Smallmoldtype SuperLowVF Application Smallcurrentrectification	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
3F	文件：1.02207 Mbytes Page：6 Pages	型号：RB450UMFH；Package：SOT-323FL；Schottky Barrier Diode Application Smallcurrentrectification Features 1)Ultrasmallmoldtype (UMD3F) 2)Highreliability 3)LowVF	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
3F	文件：1.60159 Mbytes Page：8 Pages	型号：RFN2VWM2S；Package：PMDE；Ultra Fast Recovery Diode ●Features Lowforwardvoltage Lowswitchingloss Highcurrentoverloadcapacity ●Application Generalrectification	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
3F
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市千科宇科技有限公司	BC857B	FOSAN/富信	24+	SOT-23	30000	富信一级代理SOT-23.89.123.323封装全系列二三极管MOS管	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC857B	恩XP	24+	标准封装	9546	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多3F供应商更新时间2025-7-29 10:03:00

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