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MMBTH10

丝印:3EM.;Package:SOT-23;NPN-General use transistor 225mW 50mA 20V

Features Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators High Current Gain Bandwidth Product Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with collector currents in the 100μA - 30 mA Range

文件:234.13 Kbytes 页数:2 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    MMBTH10

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_本级振荡 (Osc)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    3EM.

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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