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3DD101E	文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD101B	文件：191.04 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.) 文件：191.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD101C	文件：202.81 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD101D	文件：202.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
3DD101E
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
行输出（HA）_场输出（VA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
350
htest：
999900
atest：
2
wtest：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多3DD101E供应商更新时间2026-10-22 16:31:00

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