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NVMFWS3D0P04M8LT1G

丝印:3D0P4W;Package:DFN5;MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 2.7 m, -183 A

Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • High Current Capability • Avalanche Energy Specified • NVMFWS3D0P04M8L − Wettable Flanks Product • NVM Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capab

文件:248 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多3D0P4W供应商 更新时间2025-8-9 16:12:00