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PSMN3R2-25YLC

丝印:3C225L;Package:SOT669;N-channel 25 V 3.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C Low

文件:468.38 Kbytes 页数:16 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号:

    3C225L

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 25V 3.4 mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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