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35N60C3	文件：724.64 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
ISPW35N60C3	文件：334.99 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •ImprovedTransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤100mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SPW35N60C3	文件：230.46 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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深圳市特莱科技有限公司	35N60C3	INFINEON/英飞凌	21+23+	TO247	11318	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
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