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2SK957-MR	文件：138.34 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features ●Highspeedswitching ●Lowon-resistance ●Nosecondarybreakdown ●Lowdrivingpower ●Highvoltage ●VGSS=±30VGuarantee Applications ●Switchingregulators ●UPS ●DC-DCconverters ●Generalpurposepoweramplifier	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
2SK957-MR	文件：323.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SK957-MR

文件：138.34 Kbytes

Page：4 Pages

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Features ●Highspeedswitching ●Lowon-resistance ●Nosecondarybreakdown ●Lowdrivingpower ●Highvoltage ●VGSS=±30VGuarantee Applications ●Switchingregulators ●UPS ●DC-DCconverters ●Generalpurposepoweramplifier

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji

2SK957-MR

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多2SK957供应商更新时间2024-4-30 9:18:00

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