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2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:TRANSISTOR

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3899

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3899isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5500pFTYP.

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2SK3899

MOSFieldEffectTransistor

MOSFieldEffectTransistor Features LowOn-stateresistance RDS(on)1=5.3mÙMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.5mÙMAX.(VGS=4.5V,ID=42A) LowCiss:Ciss=5500pFTYP.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SK3899

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3899isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A)

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2SK3899-ZK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3899isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A)

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2SK3899-ZK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SK3899-ZK

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3899isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5500pFTYP.

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产品属性

  • 产品编号:

    2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    84A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas Electronics America
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更多2SK3899(0)-ZK-E1供应商 更新时间2024-6-22 15:00:00