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2SK3901-ZK	文件：284.19 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3901isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •SuperlowOn-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=16.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3901-ZK	文件：153.07 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3901isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •SuperlowOn-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=16.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=19	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3901-ZK	文件：401.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3901	文件：153.07 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3901isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •SuperlowOn-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=16.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=19	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3901	文件：43.63 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●LowOn-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=16.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) ●LowCiss:Ciss=1950pFTYP.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3901	文件：284.19 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3901isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •SuperlowOn-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=16.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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