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2SK3779-01R	文件：318.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 53mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：318.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3779-01R	文件：103.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：103.27 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3779-01R	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 100V-300V	FUJI 富士通	FUJI
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上海金庆电子技术有限公司	2SK3780-01	FujiSemiconductor	新		5	全新原装货期两周	询价

更多2SK3779-01供应商更新时间2025-10-30 20:38:00