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2SK3683-01MR

Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification

Features 1.Highspeedswitching 2.Lowon-resistance 3.Nosecondarybreadown 4.Lowdrivingpower 5.Avalanche-proof

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

2SK3683-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    2SK3683-01MR

  • 制造商:

    Fuji Electric

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FUJI
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更多2SK3683-01MR供应商 更新时间2024-7-15 16:31:00