2SK3667数据手册Toshiba中文资料规格书
2SK3667规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：马来西亚
特性 Features
Drain current ID 7.5 A
Power Dissipation PD 45 W
Drain-Source voltage VDSS 600 V
技术参数
- 制造商编号
：2SK3667
- 生产厂家
：Toshiba
- Product Category
：Power MOSFET (N-ch 500V＜VDSS≦700V)
- Package name(Toshiba)
：TO-220SIS
- Recommended Product 1
：TK1K0A60F(Almost same package but similar characteristics)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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