isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 90mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

无锡固电

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：161 Kbytes 页数：4 Pages

FUJI

富士通

SOT-23

TOSHIBA/东芝

上传：深圳广友电子有限公司

SOT523

RENESAS

瑞萨

上传：深圳市正纳电子有限公司

TOS

上传：深圳市赛美科科技有限公司