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2SK3573数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

2SK3573

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:06:00

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2SK3573规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The 2SK3573 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.FEATURES
•4.5 V drive available
•Low on-state resistance
  RDS(on)1= 4.0 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 42 A)
•Low gate charge
  QG= 68 nC TYP. (VDD= 16 V, VGS= 10 V, ID= 83 A)
•Surface mount device available

特性 Features

•4.5 V drive available
•Low on-state resistance
  RDS(on)1= 4.0 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 42 A)
•Low gate charge
  QG= 68 nC TYP. (VDD= 16 V, VGS= 10 V, ID= 83 A)
•Surface mount device available

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