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2SK3557中文资料N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,CP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SK3557

参数属性

2SK3557 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP

功能描述

N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,CP
RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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2SK3557规格书详情

描述 Description

2SK3557 is N-Channel JFET, 15V, 10 to 32mA, 35mS, CP for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications.

特性 Features

• Large Forward Transfer Admittance
• Small Ciss
• Ultrasmall-sized package permitting 2SK3557 applied sets to be made smaller and slimer
• Ultralow noise figure

应用 Application

• AM tuner RF amplifi cation
• Low noise amplifier

简介

2SK3557属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的2SK3557晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SK3557

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • IDSS Min (µA)

    :10000

  • IDSS Max (µA)

    :20000

  • V(BR)GSS Min (V)

    :15

  • Ciss Max (pF)

    :10

  • Crss Max (pF)

    :2.9

  • Package Type

    :SC-59-3/CP-3

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