2SK3566数据手册Toshiba中文资料规格书
2SK3566规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：马来西亚
特性 Features
Drain current ID 2.5 A
Power Dissipation PD 40 W
Drain-Source voltage VDSS 900 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号：
2SK3566
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
1844+ |
NA |
9852 |
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TOS |
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TO-TO-220SIS |
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TOSHIBA |
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TO-220F |
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TOS |
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TO-220 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
原封装 |
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TOSHIBA |
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TO-220F |
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TOSHIBA |
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TO-220F |
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TOSHIBA |
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