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2SK3510	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：87.14 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3510	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate pro 文件：227.15 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3510	文件：44.1 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features ● Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) ● Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. ● Built-in gate protection diode 文件：44.1 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3510	文件：332.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：332.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3510	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3510-S	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate pro 文件：227.15 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3510-S	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：87.14 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3510-Z	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：87.14 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3510-Z	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate pro 文件：227.15 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3510-ZJ	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low Ciss: Ciss = 8500 pF TYP. • Built-in gate pro 文件：227.15 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SK3510
功能描述：
MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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