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2SK3314	文件：263.48 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PI-MOSV) Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications ● Fast reverse recovery time : trr = 105 ns (typ.) ● Built-in high-speed free-wheeling diode ● Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 0.35 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 9.9 S (typ.) ● Low 文件：263.48 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3314	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3314	文件：331.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3314	文件：418.88 Kbytes Page：6 Pages	Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications 文件：418.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3314	文件：709.24 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications 文件：709.24 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3314	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅤ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 15 A \nPower Dissipation PD 150 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK3314_06	文件：709.24 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications 文件：709.24 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3314_10	文件：418.88 Kbytes Page：6 Pages	Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications 文件：418.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK3314
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PN
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多2SK3314供应商更新时间2025-12-15 16:30:00

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