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2SK3114B-S17-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3114B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter. FEATURES • Low on-state resistance RDS

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RENESAS

瑞萨

2SK3230

RENESAS
SOT523

RENESAS

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上传:深圳市正纳电子有限公司

2SK3230C

RENESAS
SOT523

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2SK3298B-S17-AY

RENESAS
QFP

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瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SK3432

RENESAS
TO220

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

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Renesas(瑞萨)
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更多2SK3114B-S17-AY供应商 更新时间2025-10-11 23:00:00