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2SK3113B-ZK-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SK3113B-ZK-E1-AY
厂商型号

2SK3113B-ZK-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

202.85 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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2SK3113B-ZK-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

The 2SK3113B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)= 4.4 ΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 1.0 A)

• Low gate charge

QG= 7.9 nC TYP. (VDD= 450 V, VGS= 10 V, ID= 2.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Avalanche capability ratings

产品属性

  • 型号:

    2SK3113B-ZK-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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