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2SK3111-ZJ中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SK3111-ZJ
厂商型号

2SK3111-ZJ

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

238.65 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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2SK3111-ZJ规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3111 is N channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and designed for high voltage

applications such as DC/DC converter, actuator driver.

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 180 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)

• Low input capacitance

Ciss = 1000 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

产品属性

  • 型号:

    2SK3111-ZJ

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
SOT-263
100000
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RENESAS/瑞萨
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