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2SK3112-S中文资料PDF规格书

2SK3112-S
厂商型号

2SK3112-S

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

文件大小

79.19 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 18:26:00

2SK3112-S规格书详情

DESCRIPTION

The 2SK3112 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as DC/DC converter, actuator driver.

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance RDS(on) = 110 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 13 A)

• Low input capacitance Ciss = 1600 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

产品属性

  • 型号:

    2SK3112-S

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

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