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2SK2826-ZJ	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super Low On-State Resistance RDS(on)1= 6.5 mΩ(MAX.) (VGS= 10 V, ID= 35 A) RDS(on)2= 9.7 mΩ(MAX.) (VGS= 4.0 V, ID= 35 A) • Low Ciss: Ciss= 7200 p 文件：74.61 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK2826-ZJ	文件：247.07 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2826 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A) RDS(on)2 = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 4.0 文件：247.07 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2826-ZJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION\nThis product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.\n\nFEATURES\n• Super Low On-State Resistance\n RDS(on)1= 6.5 mΩ(MAX.) (VGS= 10 V, ID= 35 A)\n RDS(on)2= 9.7 mΩ(MAX.) (VGS= 4.0 V, ID= 35 A)\n• Low Ciss: Ciss= 7200 pF (TYP.)\n• Buil • Super Low On-State Resistance\n RDS(on)1= 6.5 mΩ(MAX.) (VGS= 10 V, ID= 35 A)\n RDS(on)2= 9.7 mΩ(MAX.) (VGS= 4.0 V, ID= 35 A)\n• Low Ciss: Ciss= 7200 pF (TYP.)\n• Built-in Gate Protection Diode;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2826	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super Low On-State Resistance RDS(on)1= 6.5 mΩ(MAX.) (VGS= 10 V, ID= 35 A) RDS(on)2= 9.7 mΩ(MAX.) (VGS= 4.0 V, ID= 35 A) • Low Ciss: Ciss= 7200 p 文件：74.61 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK2826	文件：247.07 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2826 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A) RDS(on)2 = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 4.0 文件：247.07 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2826	文件：324.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SK2827	富士通	TO-220	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多2SK2826-ZJ供应商更新时间2025-12-11 20:00:00

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