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2SK2788VYTR-E	文件：78.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) • Low drive current • High speed switching • 4 V gate drive devices. 文件：78.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2788VYTR-E	文件：82.22 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：82.22 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2788	文件：78.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) • Low drive current • High speed switching • 4 V gate drive devices. 文件：78.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2788	文件：43.79 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12Ω typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices 文件：43.79 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2788VYTL-E	文件：82.22 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：82.22 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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