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2SK225	文件：45.37 Kbytes Page：1 Pages	SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET 文件：45.37 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK225	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI
2SK2250-01L	文件：189.14 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：189.14 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2250-01S	文件：189.14 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：189.14 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2250L	文件：308.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：308.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2250S	文件：298.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2251-01	文件：194.95 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET N-channel MOS-FET >Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS= ± 30V Guarantee - Avalanche Proof >Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Pow 文件：194.95 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2252-01L	文件：192.22 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：192.22 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2252-01S	文件：192.22 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：192.22 Kbytes 页数：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2252L	文件：284.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：284.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
2SK225
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	2SK2254-01S-TE24R	FHJI	TO263	07+PB	2600	全新原装进口自己库存优势	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	2SK2258	FUJITSU富士通	25+	TO-3P	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市恒创达实业有限公司	2SK2254	Renesas	17+	TO-3P	6200		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SK2258	FUJI	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SK2258	富士通	15+	TO-247	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市利加科技有限公司	2SK2257	TOSHIBA	16+	TO-3P	10000	全新原装现货	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SK2255-01MR	FUJITSU	25+	TO220F	500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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