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2SK2095N

Small Switching

Structure Silicon N-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Easily designed drive circuits. 5) Low VGS(th). 6) Easy to parallel.

文件:128.52 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SK2095N

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:2.13805 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SK2095N

Small switching (60V, 10A)

\u0001Structure\nSilicon N-channel MOSFET\u0001 1) Low on-resistance.\n2) Fast switching speed.\n3) Wide SOA (safe operating area).\n4) Easily designed drive circuits.\n5) Low VGS(th).\n6) Easy to parallel.;

ROHM

罗姆

2SK209GR

SOT23-3

TOSHIBA/东芝

上传:深圳广友电子有限公司

TOSHIBA/东芝

2SK209-Y/GR/BL

SOT-23

TOSHIBA/东芝

上传:深圳广友电子有限公司

TOSHIBA/东芝

详细参数

  • 型号:

    2SK2095

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SK2095供应商 更新时间2026-4-18 16:30:00