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2SK2059STL-E	文件：208.42 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC - DC converter 文件：208.42 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2059	文件：47.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：47.81 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2059	文件：1.08592 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08592 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2059	文件：208.42 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC - DC converter 文件：208.42 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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