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2SK1822-01M

N-channel MOS-FET

> Features - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance - Avalanche Proof - Including G-S Zener-Diode > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC Converters

文件:185 Kbytes 页数:2 Pages

FUJI

富士通

2SK1822-01M

N-channel MOS-FET

FUJI

富士通

2SK1824

SOD523

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SK1824-T1-A

SOT423

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SK1842

SOT-23

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