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2SK1618	文件：34.37 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：34.37 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1618	文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08593 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1618	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET • Low on-resistance\n• High speed switching\n• Low drive current\n• No secondary breakdown\n• Suitable for switching regulator and DC-DC converterApplication\nHigh speed power switching;	HITACHI 日立	HITACHI
2SK1618L	文件：285.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1618L	文件：34.37 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：34.37 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1618S	文件：345.16 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1618S	文件：34.37 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：34.37 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1618L	文件：299.84 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1618S	文件：299.31 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1618S	文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08593 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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