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2SK1623S	文件：344.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK1623S	文件：30.08 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET SiliconN-ChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevice Canbedrivenfrom5Vsource •Suitableformotordrive,DC-DCconverter,powerswitchandsolenoiddrive Application Highspeedpowerswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1623S	文件：89.22 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET SiliconNChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevice Canbedrivenfrom5Vsource •Suitableformotordrive,DC-DCconverter,powerswitchandsolenoiddrive Application Highspeedpowerswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1623S	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK1623STL-E	文件：89.22 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET SiliconNChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevice Canbedrivenfrom5Vsource •Suitableformotordrive,DC-DCconverter,powerswitchandsolenoiddrive Application Highspeedpowerswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK1623	文件：1.72986 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK1623	文件：30.08 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET SiliconN-ChannelMOSFET Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevice Canbedrivenfrom5Vsource •Suitableformotordrive,DC-DCconverter,powerswitchandsolenoiddrive Application Highspeedpowerswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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