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2SK1626-E	文件：202.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：202.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1627	文件：202.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：202.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1627	文件：34.34 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：34.34 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1627	文件：318.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1627-E	文件：202.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：202.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1628	文件：302.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 450V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：302.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1628	文件：34.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：34.9 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1628	文件：82.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.79 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1628-E	文件：82.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.79 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1629	文件：82.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.79 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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