2SK1381数据手册Toshiba中文资料规格书
2SK1381规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：L²-π-MOSⅢ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Drain current ID 50 A
Power Dissipation PD 150 W
Drain-Source voltage VDSS 100 V
技术参数
- 型号：
2SK1381
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 50A TO-3PN
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
47 |
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TOSHIBA |
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TO3P |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TO-3PL |
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TOS |
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TO-3P |
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23+ |
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24+ |
2000 |
询价 |
