| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
to3pf |
608900 |
tos |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
tosto3pf |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
|
TOSHIBA |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
tosto3pf |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
|
TOSTO-3P |
6200 |
17+ |
||||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
TOSHIBATO-3P |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PF |
12000 |
23+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
|
深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PF |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
|||
|
艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PF |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
TOSTO-3P(N)I |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3P(N)IS |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
TOSHIBATO-3PF |
9526 |
23+ |
||||
|
深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
|
TOSHIBA |
26 |
11+ |
原装正品香港现货 |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3P(N)IS |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
|
TOSHIBATO-3P(N)IS |
8858 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
|
TOSHIBA最新 |
26 |
原装正品 现货供应 价格优 |
||||
|
深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
|
TOSHIBATO-3P(N)IS |
6540 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
64610 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PF |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
2SK1365采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SK1365图片
2SK1365中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK1365功能描述:MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK1365(F)功能描述:MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK1365_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications
2SK1365_09制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Power Supply Applications
