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2SK1365中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK1365

功能描述

FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)

文件大小

443.37 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-19 23:00:00

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2SK1365规格书详情

Switching Power Supply Applications

● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 Ω (typ.)

● High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.)

● Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V)

● Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    2SK1365

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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