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2SK1123	文件：442.81 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK1123	文件：2.25004 Mbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1123isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4V,ID=20A) •LowCissCiss	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SK1123

文件：442.81 Kbytes

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SK1123

文件：2.25004 Mbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1123isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4V,ID=20A) •LowCissCiss

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Isc N-Channel MOSFETransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
2SK1123
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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深圳市昌和盛利电子有限公司	2SK1123	NEC	23+	TO-3P	35890		询价
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