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2SJ648分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SJ648

参数属性

2SJ648 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRANSISTOR

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

135.83 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 20:00:00

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2SJ648规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ648 is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source.

The 2SJ648 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 2.5 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −0.2 A)

RDS(on)2 = 1.55 Ω MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −0.2 A)

RDS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A)

产品属性

  • 产品编号:

    2SJ648-T1-A

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    400mA(Tj)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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