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2SJ647
厂商型号

2SJ647

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

62.95 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 20:00:00

2SJ647规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ647 is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source.

The 2SJ647 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 2.5 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −0.2 A)

RDS(on)2 = 1.55 Ω MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −0.2 A)

RDS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A)

产品属性

  • 型号:

    2SJ647

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
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