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2SJ624中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SJ624

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

丝印标识

XH

封装外壳

SC-96

文件大小

205.93 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 9:50:00

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2SJ624规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ624 is a switching device which can be driven directly

by a 1.8 V power source.

This device features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and is suitable for applications such

as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 1.8 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 54 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A)

RDS(on)2 = 71 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.5 A)

RDS(on)3 = 108 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A)

产品属性

  • 型号:

    2SJ624

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
2022+
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全新原装 货期两周
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