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2SJ621中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SJ621
厂商型号

2SJ621

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

72.97 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-1 20:07:00

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2SJ621规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ621 is a switching device which can be driven directly by a 1.8 V power source.

This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 1.8 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 44 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.0 A)

RDS(on)2 = 56 mΩ MAX. (VGS = –3.0 V, ID = –2.0 A)

RDS(on)3 = 62 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.0 A)

RDS(on)4 = 105 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A)

产品属性

  • 型号:

    2SJ621

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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