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2SJ601-Z中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SJ601-Z

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

238.77 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 16:49:00

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2SJ601-Z规格书详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES

Low on-state resistance:

RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –18 A)

RDS(on)2 = 46 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –18 A)

Low input capacitance:

Ciss = 3300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V)

Built-in gate protection diode

TO-251/TO-252 package

产品属性

  • 型号:

    2SJ601-Z

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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